FeTRAM (Ferroelectric Transistor Random Access Memory), bo o tej pamięci mowa, powstała dzięki połączeniu nanodrutów oraz, jako kondensatora przechowującego dane, ferroelektrycznego polimeru - materiału, który zmienia swoją polarność pod wpływem zewnętrznego pola elektrycznego. Zmiana biegunowości ferroelektrycznego tranzystora odczytywana jest jako "1" bądź "0" i w ten sposób układy cyfrowe mogą przechowywać informacje w kodzie binarnym. W przeciwieństwie do dostępnej już na rynku pamięci FERAM, FeTRAM pozwala na tzw. nieniszczący odczyt - niezależnie od liczby odczytów, dane nie są kasowane.
Prace nad technologią FeTRAM wciąż znajdują się na dość wczesnym etapie, ale jeśli uda je się pomyślnie doprowadzić do końca, będzie można mówić o pewnej rewolucji. Aha, gdybyście chcieli wykorzystać ten pomysł do własnych celów, spóźniliście się - technologia została już opatentowana.
[via engadget ]
