Samsung jako pierwszy na rynku już w październiku rozpoczął produkcję chipsetów z użyciem 10-nanometrowego procesu technologicznego FinFET przy autorskim procesorze Exynos 8895. Układ ten ma się rzekomo znaleźć w przyszłorocznym flagowcu Koreańczyków - Galaxy S8.
Przypuszczalnie tak jak do tej pory flagowy smartfon Samsunga będzie oferowany w dwóch wersjach, z procesorami Exynos (głównie na rynek amerykański) oraz Snapdragon. Różnica wydajności pomiędzy nimi nie będzie jednak zauważalna.
Jeśli chodzi o samego Snapdragona 835, zmiana procesu technologicznego z dotychczasowych 14 nanometrów na 10 przyczyni się do lepszego wykorzystania przestrzeni wafla już na etapie produkcji, zwiększenia wydajności układu o 27 proc oraz redukcji zapotrzebowania na energię o nawet 40 proc. Wybór procesu ma również swoje uzasadnienie w redukcji ilości miejsca, jakie główna jednostka obliczeniowa będzie zajmować w środku smartfonu, dając więcej miejsca producentom na inne komponenty, między innymi większą baterię.
Czytaj też: Wyciekła specyfikacja potężnego smartfona od Huawei. To następca modelu P9?
Nowych smartfonów wykorzystujących potężny układ Qualcomm Snapdragon 835 należy się spodziewać w pierwszej połowie 2017 roku. Przypuszczalnie poza Samsungiem będą go mieć również nowe flagowe telefony HTC, Sony oraz LG.
