Opracowana przez naukowców z North Carolina State University technika pozwala na drastyczne zmniejszenie ilości defektów w warstwach azotku galu (GaN) stosowanych do tworzenia diod LED - o dwa do trzech rzędów wielkości. Zwiększa to ilość światła emitowanego przez diodę przy takim samym poziomie zasilania dwukrotnie, co jest bardzo dużym postępem.
Diody LED w ciągu ostatniej dekady spowodowały istotną rewolucję oświetleniową , jednak z uwagi na ich jeszcze stosunkowo wysoką cenę zdominowały na razie latarki i zaczynają wchodzić do motoryzacji, czyli wszędzie tam, gdzie istotna jest bardzo wysoka wydajność świetlna. Jednak ich wydajność rośnie w tempie wykładniczym (zgodnie z prawem Haitza), więc nie trzeba będzie długo czekać na to, aż wszelkie inne typy oświetlenia (z wyjątkiem ewentualnie lamp wyładowczych, tzn. "ksenonów" samochodowych) staną się przeżytkiem.
Nowe odkrycie amerykańskich naukowców z pewnością przybliży ten moment. Zespół pod kierownictwem prof. Salaha Bedaira ustalił, iż regularne rozmieszczanie w warstwie azotku galu dużych pustych przestrzeni pozwala na znaczące zmniejszenie ilości defektów występujących w półprzewodniku. Dużych w skali produkcji diod, oczywiście - pustki mają jeden do dwóch mikrometrów długości i ćwierć mikrometrów średnicy, gdy ludzki włos ma średnicę od 20 do 180 mikrometrów. Cytując prof. Bedaira:
Bez pustych przestrzeni, w warstwie GaN występowało około 1010 defektów na centymetr kwadratowy. Z pustkami, mamy 107 defektów. Technika ta dodaje dodatkowy etap do procesu produkcji diod LED, ale będzie owocować diodami o wyższej jakości i wydajności.
Jak się okazuje, puste obszary powodują, że defekty są "przyciągane" przez nie, przez co obszary dookoła nich mają dużo mniej wad w swojej strukturze. Biorąc pod uwagę szybkość rozwoju diod LED wysokiej mocy, na zastosowanie nowej techniki przez producentów zapewne nie trzeba będzie długo czekać.
[na podstawie Science Daily ]
Leszek Karlik
