Konwencjonalna pamięć flash zbliża się już powoli do momentu, w którym dalsze zmniejszanie elementów, z których jest zbudowana, tzw. bramek pływających lub bramek swobodnych zacznie negatywnie wpływać na możliwość utrzymania w pamięci przechowywanych danych.
Grupa z uniwersytetu Chang Gung w Tajwanie, pod kierownictwem dr Chao-Sung Laia pokazała, że wykorzystanie taniego tlenku ziem rzadkich, tlenku gadolinu, który jest już stosowany w mikroelektronice pozwala na uzyskanie pamięci flash, która działa szybciej i może mieć większą pojemność. Cytując dr Lai:
Niskie napięcie i niska moc potrzebna tej pamięci do pracy powinna uczynić ją szczególnie atrakcyjną dla przyszłych smartfonów i innych zastosowań telekomunikacyjnych.
Główną zaletą opracowanego w Tajwanie materiału jest to, że do jego produkcji wykorzystywane są materiały i procesy, które są już dobrze znane w przemyśle materiałów półprzewodnikowych. Stąd też istnieje spora szansa że będzie wykorzystany w praktyce w miarę bliskim horyzoncie czasowym, w przeciwieństwie do bardziej egzotycznych materiałów takich jak grafen czy azotek boru.
[via Science Daily ]
Leszek Karlik
